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郑耀宗


[中国科学院院士]

郑耀宗

郑耀宗,微电子学专家。1939年2月9日生于香港,籍贯广东中山。1963年毕业于香港大学,获理学士学位。1967年获加拿大卑诗大学博士学位。曾任香港大学校长。1999年当选为中国科学院院士。

长期以来对金属-氧化硅-硅(MOS)系统及其器件物理和工艺技术进行了系统研究。发明了掺氯化氢硅氧化技术,解决了当时MOS器件和集成电路阈值电压漂移、不能稳定工作的难题,使MOS器件和电路的性能、可靠性和成品率大大提高。在国际上首先提出了MOS反型层载流子表面粗糙度散射理论,在MOS集成电路进入深亚微米阶段后,这一机理已成为决定MOS反型层载流子迁移率的主要因素,这是对MOS器件物理的一大发展。是较早开展氮化硅技术的研究者之一。在深亚微米器件模型研究工作中取得重要成果。

三乡镇  三乡镇位于市境南部,毗邻珠海市,面积93平方公里,辖12个村民委员会和2个居民委员会,户籍人口3.7万人,非户籍人口12.1万人。2006年,落实科学发展观,以构建“两个适宜”和谐三乡为目标,加快经济增长方式的转变,经济、社会事业稳健发展。实现生产总值44.02亿元,比上年增长11.11%;工农业总产值106.97亿元,增长17.24%;三次产业比例为1.…… 详细++



  同年(公元1939年)出生的名人:
姚建铨 中国科学院院士 江苏省无锡
吴宏鑫 中国科学院院士 江苏省镇江丹徒区
吴培亨 中国科学院院士 上海市
夏建白 中国科学院院士 江苏省苏州
李启虎 中国科学院院士 浙江省温州

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